日本物理学会講演概要集第78巻第2号 | 第78回年次大会（2023年）

1: 磁性ワイル半金属EuCd₂Sb₂薄膜における磁気輸送特性の磁場方位依存性; 東工大理^A, 東大工理研CEMS^B, 東大工^C; 中村彩乃^A, 西早辰一^A, Markus Kriener^B, 渡辺悠斗^A, 川﨑雅司^{B, C}, 打田正輝^A
2: ワイル半金属候補物質EuCd₂As₂の薄膜作製による低キャリア濃度化; 東工大理^A, 東大工^B, 理研CEMS^C; 西早辰一^A, 中村彩乃^A, 大野瑞貴^B, Markus Kriener^C, 渡辺悠斗^A, 川﨑雅司^{B, C}, 打田正輝^A
3: 層状ディラック電子系Ba_1-xSr_xMnBi₂における極性構造とスピン・バレー結合状態の制御; 阪大院理^A, 東大物性研^B, 東北大金研^C; 近藤雅起^{A, B}, 酒井英明^A, 山田暉馨^B, 木俣基^C, 徳永将史^B, 三宅厚志^{B, C}, 木下雄斗^B, 村川寛^A, 花咲徳亮^A
4: 軟 X 線 ARPES と3次元光電子強度解析を用いた RAlSi (R:Ce, Nd) におけるワイル分散の決定; 広大理, 広大院先進理工^A, WPI-SKCM2^B, JASRI^C, 富山県立大^D; 森田雄晴, 中西楓恋^A, 岩田拓万^{A, B}, 大和田清貴^A, 西岡幸美^A, 高佐永遠^A, M. Nurmamat^A, 山神光平^C, 木村昭夫^{A, B}, 山田武見^D, 谷田博司^D, 黒田健太^{A, B}
5: 磁性ワイル候補物質NdAlGeの低温物性; 物材機構^A, 福島高専^B; 菊川直樹^A, 寺嶋太一^A, 加藤健^{A, B}, 林百子^A, 山口仁志^A, 宇治進也^A
6: ワイル半金属NdAlSiにおけるフェルミ面のネスティングによるネルンスト効果の増大; 東大工^A, 東大先端研^B, 理研CEMS^C, 東大物性研^D, 東京カレッジ^E; 山田林介^A, 野本拓也^B, 有田亮太郎^{B, C}, 吉川明子^C, 田口康二郎^C, 三宅厚志^D, 徳永将史^{C, D}, 十倉好紀^{A, C, E}, Max Hirschberger^{A, C}

7: 捩れ積層グラフェンにおけるモアレ超格子中弱局在効果II; 東大物性研, 物材機構^A; 柏木聖生, 内田和人, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, 長田俊人
8: 魔法角ねじれ二層グラフェンにおける量子干渉の制御; ETH Zurich, 物材機構^A; 岩切秀一, Alexandra Mestre Tora, Elías Portolés, Marta Perego, Giulia Zheng, Takashi Taniguchi^A, Kenji Watanabe^A, Thomas Ihn, and Klaus Ensslin
9: マイクロ波共振器を用いた原子層超伝導体の慣性インダクタンス測定; MIT, NIMS^A; 田中未羽子, Joel I-J Wang, Daniel Rodan-Legrain, Thao Dinh, Sameia Zeman, Iran Rosen, Max Heys, Simon Gustavsson, Kyle Serniak, 渡辺賢司^A, 谷口尚^A, Terry Orlando, Pablo Jarillo Herrero, William D. Oliver
10: 単層グラフェンの抵抗検出電子スピン共鳴測定; 東北大理, 量研^A, 北陸先端大^B, 東北大CSIS^C; 金田海里, 李松田^A, 境誠司^A, 安東秀^B, 橋本克之^C
11: 3Dグラフェントランジスタの磁場中輸送特性; 岡山理大理, 筑波大数理物質^A, 東北大金研^B; 田邉洋一, 伊藤良一^A, 木村尚次郎^B

1: Gd³⁺Mn-ferriteナノ微粒子の交流磁場下における高調波応答と熱散逸効果; 横国大院理工^A, 横国大院環情^B, 阪大院理^C; 坂本壮^A, 新居和音^A, 森脇智将^B, 藤田陽平^A, 天野広希^A, 一柳優子^{A, C}
2: 希薄磁性半導体CeドープZnOナノ微粒子におけるCeの価数変動と磁気特性; 横国大院理工, 横国大院環情^A, 大基礎工^B; 天野広希, ^○藤田陽平, 新居和音, 坂本壮, 森脇智将^A, 阿部凌大, 一柳優子^C
3: hBN量子センサによる磁性体薄膜の磁気イメージング; 東大理, 東京工科大^A, NIMS^B; 塚本萌太, 顧豪, 中村祐貴, 中払周^A, 岩崎拓哉^B, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 河口将志, 林将光, 佐々木健人, 小林研介
4: 表面弾性波を用いた原子層磁性体(Fe_1-xCo_x)₅GeTe₂の磁気弾性測定; 阪大理^A, OIST^B, 阪大CSRN^C, 阪大OTRI^D; 川田拓弥^A, 藤原浩司^A, 太田智陽^A, 二階堂夏海^A, 山神光平^B, 岡田佳憲^B, 蒋男^{A, C, D}, 新見康洋^{A, C, D}
5: ファンデルワールス反強磁性体TbTe₃薄膜における磁気輸送特性; 阪大理^A, 阪大CSRN^B, 阪大OTRI^C, OIST^D, NIMS^E; 浅間遼太郎^A, 東原有^A, 中村瞭弥^A, 渡邉杜^A, 蒋男^{A, B, C}, 友田七海^D, 渡邊賢司^E, 谷口尚^E, 岡田佳憲^D, 新見康洋^{A, B, C}
6: TbTe₃の反強磁性相における新しいCDW秩序の観測; OIST^A, 北大理^B; 友田七海^A, 藤澤唯太^A, 速水賢^B, B. R. M. Smith^A, 中村友謙^A, 岡田佳憲^A

7: スピン角度分解光電子分光による酸素終端FeCo薄膜のスピン電子状態の観測; 広大院先進理工, 広大放射光セ^A, 物材機構^B; 國友香里, 宮本幸治^A, Cheng Zhang, 桜庭裕弥^B, 奥田太一^A
^●8: Scanning tunneling microscopy/spectroscopy Studies of Monolayer FeTe on SrTiO3(001)-√13×√13; 東工大理物; 司文, 于滨, 一ノ倉聖, 平原徹
^●9: Rashba effect in ferromagnetic/carbon layer interface-surface structure for novel non-precious metal spintronic THz emitter; 福大遠赤セ^A, 信州大先鋭材料研^B; Mary Clare Escaño^A, Tien Quang Nguyen^B, 谷正彦^A
10: 原子間力顕微鏡の探針で誘起される局所温度勾配を利用した磁気イメージング; 東大物性研, 東大理^A, 理研CEMS^B; 一色弘成, Nico Budai, 上杉良太, Zheng Zhu, 肥後友也^A, 中辻知^A, 大谷義近^B

1: STM誘起発光を用いたキラルPTCDI分子の吸着構造と円偏光発光の解析; 阪大工, 和歌山大シス工^A; 服部卓磨, 春名泰成, 齋藤彰, 大須賀秀次^A, 桑原裕司
2: STMを用いた単一分子の電子状態測定と発光測定 -絶縁薄膜を介した光物性の制御-; 理研^A, 東大^B, GIST^C, Univ.Ulsan^D; 南部大貴^{A, B}, 今田裕^A, Jong-Guk Ahn^{A, C}, Minhui Lee^B, Xingmei Ouyang^A, 村中厚哉^A, Jaehoon Jung^D, Hyunseob Lim^C, 金有洙^{A, B}
3: 単一分子内で生じる光電変換の原子分解能計測; 理研, 東大^A, 分子研^B; 今井みやび, 今田裕, 三輪邦之^B, 田中裕介^A, 木村謙介, Inhae Zoh, Rafael B. Jaculbia, 吉野紘子, 村中厚哉, 内山真伸^A, 金有洙
4: 局在プラズモン増強電場下におけるカシャ則に反した単分子発光現象; 理研; 今田裕, 今井みやび, Xingmei Ouyang, 村中厚哉, 金有洙
5: プラズモニック探針によって誘起される単分子スイッチのSTM-TERS計測; フリッツハーバー研, 阪大院工^A, 分子研^B; Youngwook Park, 濱田幾太郎^A, Adnan Hammud, Martin Wolf, 熊谷崇^B, ^○塩足亮隼
^●6: 多重共鳴効果型熱活性化遅延蛍光分子の分子軌道分布の可視化; 理研, 九大^A, 京大^B; Jaehyun Bae, 今井みやび, 今田裕, 土屋陽一^A, 畠山琢次^B, 安達千波矢^A, 金有洙

7: モンテカルロ法によるSTMスペクトル解析; 東大物性研, 同志社大文化情報^A; 土師将裕, 中西（大野）義典^A, 佐藤優大, 長谷川幸雄
8: 原子間力顕微鏡によるNb(110)酸化表面の構造解析; 東大新領域, 名大工^A; 安井勇気, 松永克志^A, 杉本宜昭
9: Si(111)7×7表面のコーナーホールへのAg単原子吸着; ルンド大, 東北大高教機構^A, リンカーン大^B; Jacek R. Osiecki, ^○須藤彰三^A, Arunabhiram Chutia^B
10: 配列秩序を失わずにポリマー化が進行するBr₂-HPBのSTM観察; 横浜市大; 大江弘晃, 横山崇
11: マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いたW(112)ステップ端原子位置におけるHeおよびNe電界吸着構造に関する比較研究; 大阪公立大院工^A, 日新イオン機器^B; 小林中^A, 太田康^B
12: 二次元表示型分析器CoDELMAと原子ホログラフィー顕微鏡の開発; 分子研, 米子高専^A, SciTech Muszer Kft.^B, アプコ^C, 奈良先端大^D; 大門寛, 桃野浩樹^A, 松田博之, 松井文彦, 横山利彦, Lảszlὁ Tὁth^B, 益田有^C, 森口幸一^C, 小粥啓子^C, 橋本由介^D, 松下智裕^D

1: （招待講演）XFEL施設LCLSにおける物性研究の現状と今後の展望; SLAC; 佐藤尭洋
2: 3d遷移金属酸化物における光電子スピンと発光X線偏光との量子相関; 阪公立大院工; 田中遼, 魚住孝幸
3: X線磁気円偏光発光における多重電子-正孔対励起の効果; 兵県大理^A, 量研放射光^B; 小林弘樹^{A, B}, 野村拓司^{A, B}
4: 中性子準弾性散乱によるヒドリド伝導体LaH_3-2xO_x中のヒドリドダイナミクスの解明; 原子力機構, 山梨大^A, 東工大元素戦略研究セ^B, JST-PRESTO^C, 物材機構^D, 高エ研^E, 九大^F, CROSS^G; 玉造博夢, 福井慧賀^A, 飯村壮史^{B, C, D}, 本田孝志^E, 多田朋史^F, 村上洋一^{B, E}, 山浦淳一^B, 倉本義夫^E, 佐賀山基^E, 山田武^G, 松浦直人^G, 柴田薫, 古府麻衣子, 川北至信, 池田一貴^E, 大友季哉^E, 細野秀雄^{B, D}

5: 円偏光XFEL励起によるフェリ磁性体GdFeCoの超高速光磁気ダイナミクス; 関学大^A, 理研RSC^B, 東工大^C, 日大^D, 兵県大^E, JASRI^F; 小林玲^{A, B}, 山田貴大^C, 吉川大貴^D, 小幡竜世^E, 後長葵^E, 金島圭佑^E, 富樫格^F, 久保田雄也^B, 塚本新^D, 田中義人^{B, E}, 鈴木基寛^{A, B}
6: リチウムイオン電池モデル電極デバイスの2DX線吸収スペクトルから抽出された電子状態のメゾ構造; 熊大技術部, 東工大情報理工学院^A, 熊大院先端科学^B, あいちSR^C, 東北大多元研^D, 熊大産ナノ研^E; 岩満一功, 谷本寛樹^A, 徐宏坤^A, 青西亨^A, 水牧仁一朗^B, 岡島敏浩^C, 木村勇太^D, 雨澤浩史^D, 赤井一郎^E
7: 第一原理計算によるLi_xCoO₂(x=0.5, 0.75, 1)結晶の電子状態解析; 熊大院自然, 一橋大院SDS^A, 熊大技術部^B, あいちSR^C, 熊大産ナノ研^D; 小島駿希, 熊添博之^A, 岩満一功^B, 岡島敏浩^C, 赤井一郎^D
8: リチウムイオン電池モデル電極デバイスにおける活物質劣化の統計的検出; 熊大産ナノ研, 熊大技術部^A, JASRI^B, 熊大院先端科学^C, 東北大多元研^D; 赤井一郎, 岩満一功^A, 関澤央輝^B, 水牧仁一朗^C, 木村勇太^D, 雨澤浩史^D

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 阪大工; 服部卓磨
2: （一般シンポジウム講演）非平衡化学合成による新規ナノ材料の開拓; 京都大学白眉センター; 草田康平
3: （一般シンポジウム講演）BraggコヒーレントX線回折イメージング法を用いた数十〜数百nmサイズの結晶一粒子の外形とその内部の歪分布の非破壊可視化; 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構; 押目典宏
4: （一般シンポジウム講演）電子状態計算による金属ナノ粒子の物性・反応性解析; 広島大学先進理工系科学研究科; 石元孝佳

5: （一般シンポジウム講演）ナノチューブの階層制御と熱電物性; 東京都立大学; 柳和宏
6: （一般シンポジウム講演）ツイスト角度制御された二次元物質積層構造において発現する量子物性; 東京大学生産技術研究所; 守谷頼
7: （一般シンポジウム講演）超伝導体に吸着あるいは内部に侵入した水素が引き起こす量子現象; 九州大学工学研究院; 河江達也

1: （招待講演）放射光角度分解光電子分光を用いた太陽電池・熱電材料SnSの電子状態研究; 東北大多元研; 鈴木一誓
2: InGaZnO₄の角度分解光電子分光; 東理大理^A, 東理大先進工^B, 原研SPring-8^C, 早大理工^D, QST^E, 東理大理工^F; 山岡大起^A, 高橋裕之介^A, 澤田晏伯^B, 芝田悟朗^{A, C}, 大川万里生^D, 河村優介^A, 漆間由都^A, 井上禎人^A, 加瀬直樹^{A, B}, 宮川宣明^{A, B}, 堀場弘司^E, 北村未歩^E, 浜田典昭^F, 齋藤智彦^{A, B}
3: 高濃度窒素ドープ・ダイヤモンド(111)面のN 1s XPS; 岡大基礎研^A, 岡大院自然^B, 奈良先端大^C, JASRI^D, 金沢大^E, 産総研^F; 脇田高徳^A, 片岡範行^B, 齋藤竜聖^B, 孫澤旭^C, 川村聡太^C, 富田広人^C, 橋本由介^C, 松下智裕^C, 大河内拓雄^D, 山神光平^D, 小谷佳範^D, 徳田規夫^E, 加藤宙光^F, 村岡祐治^{A, B}, 横谷尚睦^{A, B}
4: 軟X線角度分解光電子分光とSHG顕微鏡を用いたデラフォサイト型酸化物の電子状態の研究; 広大院先進理工^A, WPI-SKCM2^B, 広大理^C, JASRI^D, 広大放射光セ^E, 京大院工^F; 岩田拓万^{A, B}, 白石海人^A, 中西楓恋^A, 森田雄晴^C, 西岡幸美^A, 高佐永遠^A, 大和田清貴^A, Munisa Nurmamat^A, 山神光平^D, 木村昭夫^{A, B}, 宮本幸治^E, 奥田太一^E, 高津浩^F, 黒田健太^{A, B}
5: リチウム固体電解質Li_3xLa_2/3-xTiO₃単結晶の角度分解光電子分光; 名大院工^A, あいちSR^B, 名大SRセ^C, 分子研UVSOR^D, 信州大^E, ファインセラミックスセンター^F, 東工大^G; 小山正太郎^A, 山本凌^A, 仲武昌史^B, 高倉将一^C, 田中清尚^D, 藤原靖幸^E, 太子敏則^E, 森分博紀^{F, G}, 入山恭寿^A, 伊藤孝寛^{A, C}

6: 粉状半導体r-BSのマイクロARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, JST-PRESTO^C, 筑波大数理物質^D, 東北大CSIS^E, NIMS^F, NIMS-MANA^G, 高エ研物構研^H, 量研機構^I, 東北大多元研^J, 東北大金研^K, 東工大院理^L, 東北大SRIS^M; 菅原克明^{A, B, C}, 日下陽貴^D, 川上竜平^A, 柳沢幸紀^A, 本間飛鳥^A, 相馬清吾^{B, E}, 中山耕輔^A, 宮川仁^F, 谷口尚^{F, G}, 北村未歩^H, 堀場弘司^I, 組頭広志^J, 高橋隆^A, 折茂慎一^{B, K}, 豊田雅之^L, 斎藤晋^L, 近藤剛弘^{B, D}, 佐藤宇史^{A, B, E, M}
7: SiC上の単層BiおよびSb薄膜の作製と角度分解光電子分光; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, JST-PRESTO^C, 東北大CSIS^D, 東北大SRIS^E, 東北大MathCCS^F; 八重樫健^A, 川上竜平^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^A, 佐藤宇史^{A, B, D, E, F}
8: アルカリ金属量子井戸の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 北京理工大^B, 東北大WPI-AIMR^C, JSTさきがけ^D, 分子研UVSOR^E, 東北大CSIS^F, 東北大SRIS^G, 東北大MathCCS^H; 中山耕輔^A, 加藤剛臣^A, Yongkai Li^B, Zhiwei Wang^B, 菅原克明^{A, C, D}, 田中清尚^E, 高橋隆^A, Yugui Yao^B, 佐藤宇史^{A, C, F, G, H}
9: トポロジカル絶縁体 Bi₂Te₃ 薄膜のスピン偏極電子状態における基板効果; 東大物性研, 京大理院^A; 川口海周, 森亮, 福島優斗, 八田振一郎^A, 田中宏明, 原沢あゆみ, 有賀哲也^A, 近藤猛
^●10: TiSe₂のCDW転移に伴う3Dフェルミ面構造の変化; 阪大産研^A, 埼玉大理工^B, 分子研UVSOR^C; 田中慎一郎^A, 菅滋正^A, 上野啓司^B, 福谷圭佑^C, 松井文彦^C, 田中清尚^C
11: Cr置換したカゴメ超伝導体CsV₃Sb₅のマイクロARPES; 東北大院理^A, 北京理工大^B, 東北大CSIS^C, 東北大WPI-AIMR^D, 高エ研物構研^E, 量研機構^F, 東北大多元研^G, 東北大SRIS^H, 東北大MathCCS^I; 鈴木崇人^A, 加藤剛臣^A, 中山耕輔^A, Yongkai Li^B, Zhiwei Wang^B, 相馬清吾^{C, D}, 北村未歩^{E, F}, 堀場弘司^F, 組頭広志^G, 高橋隆^A, Yugui Yao^B, 佐藤宇史^{A, C, D, H, I}
12: 硬X線光電子分光で見たR(O,F)BiS₂超伝導体(R=La, Nd)の電子構造とPb置換効果; 甲南大院自然^A, 理研 RSC^B, 阪大基礎工^C, 摂南大理工^D, 立命館大理工^E, 日大理工^F, 東理大理^G, 甲南大理工^H; 田中菜摘^{A, B}, 村上友梨^{A, B}, 野末悟郎^{B, C}, 尾瀬朱音^{B, C}, 藤原秀紀^{B, C}, 濱本諭^B, 東谷篤志^{B, D}, 中田惟奈^{B, E}, 玉作賢治^B, 矢橋牧名^B, 石川哲也^B, 今田真^{B, E}, 関山明^{B, C}, 出村郷志^F, 坂田英明^G, 小堀裕己^H, 山﨑篤志^{B, H}
13: J_eff=1/2モット絶縁体α-RuCl₃の硬X線光電子分光; 甲南大院自然^A, 理研 SPring-8^B, 阪大基礎工^C, 摂南大理工^D, 立命館大理工^E, 日大理工^F, 甲南大理工^G; 村上友梨^{A, B}, 田中菜摘^{A, B}, 野末悟郎^{B, C}, 尾瀬朱音^{B, C}, 藤原秀紀^{B, C}, 東谷篤志^{B, D}, 中田惟奈^{B, E}, 濱本諭^B, 玉作賢治^B, 矢橋牧名^B, 石川哲也^B, 今田真^{B, E}, 関山明^{B, C}, 中澤拓斗^F, 高瀬浩一^F, 小堀裕己^G, 山﨑篤志^{B, G}

1: （一般シンポジウム講演）趣旨説明; 東大物性研; 谷峻太郎
2: （一般シンポジウム講演）超高速半導体レーザー利得スイッチの基礎と応用; 東大物性研; 秋山英文
3: （一般シンポジウム講演）自己進化フォトニック結晶に基づく短パルス・高ピーク出力レーザー発振; 京大院工; 井上卓也
4: （一般シンポジウム講演）放射エントロピーで再定義する多彩な1次元励起子発光; 京大エネ研; 西原大志
5: （一般シンポジウム講演）微小機械構造を用いた長寿命な発光集合体の制御〜励起準位の不均一広がりの圧搾〜; NTT物性研; 太田竜一

6: （一般シンポジウム講演）量子ホールエッジで創る時空を発光で探る; 東北大理; 遊佐剛
7: （一般シンポジウム講演）高強度光電場により駆動されるコヒーレント・インコヒーレント放射現象; 京大院理; 内田健人
8: （一般シンポジウム講演）テラヘルツパルスによるナノスケールトンネル電流の制御と誘起発光; 横浜国大工; 片山郁文
9: （一般シンポジウム講演）励起状態と輻射場研究の今後を見据える; 阪大院基礎工; 石原一

1: 潮解再訪：濡れと結晶成長・融解ダイナミクスの競合; 北大低温研; 村田憲一郎
2: 大気中の酸性ガスによって引き起こされる氷表面のバンチングステップ成長; 北大低温研; 長嶋剣, 村田憲一郎, 佐﨑元
3: 氷の昇温脱離キネティクスにおけるエントロピーの重要性; 東大生研^A, 原子力機構先端研^B; 越田裕之^A, Markus Wilde^A, 福谷克之^{A, B}
4: スピンコントラスト変調中性子小角散乱法による急冷糖溶液中に生成したナノ氷晶の観測; 原子力機構物質セ^A, J-PARC^B, CROSS^C, 広大統合生命科学^D; 熊田高之^{A, B}, 中川洋^{A, B}, 三浦大輔^A, 関根由莉奈^A, 元川竜平^A, 廣井孝介^B, 稲村泰弘^B, 奥隆之^B, 大石一城^C, 森川利明^C, 河村幸彦^C, 川井清司^D
5: リゾチーム分子構造の塩濃度・温度変化; 徳島大; 鈴木良尚
6: 透過型電子顕微鏡法を用いた水溶液中における結晶のその場観察; 東京農工大工; 沼崎凌雅, 清水俊樹, 箕田弘喜

7: （招待講演）計算化学と機械学習の協働による液晶−液晶相転移現象の解明; 産業技術総合研究所; 高橋和義
8: クラスタ合体による結晶成長速度の増大; 金沢大EMI, 愛工大自然^A; 勝野弘康, 上羽牧夫^A
9: ファセティング・ダイヤグラムを使用したSi(113)+(114)マクロステップ形成におけるステップ間引力エネルギーの評価; 大阪電通大工; 阿久津典子
10: 幾何学的形状と表面秩序を制御した三次元Si{111}ファセットライン構造の作製; 奈良先端大, 阪大産研^A, 阪大精密^B; 木元康成, 今山航, Mabarroh Nimatil, 坪崎佳菜子, 阪井雄也, 東嵩晃, 服部梓^A, 田中秀和^A, 藤大雪^B, 服部賢
^●11: Development of a new low-energy positron diffraction (LEPD) experimental station at KEK and its initial I-V Curve data obtained from a Cu(001) surface; KEK-IMSS, AIST^A; Rezwan Ahmed, Izumi Mochizuki, Tetsuroh Shirasawa^A, Seigi Mizuno, Toshio Hyodo, Ken Wada

1: 層状トポロジカル半金属MTe₂における動的電気機械応答の観測; 阪大基礎工; 黒坂祐介, 高橋英史, 木村健太, 石渡晋太郎
^●2: Thermoelectric Hall conductivity of topological nodal line semimetal ZrSiS; ISSP, Univ. of Tokyo; Andhika Kiswandhi, Toshihito Osada
3: 高純度ZrSiS単結晶の超巨大磁気抵抗と量子振動; 東工大フロンティア研; 澤田峻輝, 笹川崇男
4: 超伝導線ノード物質CaSb₂の格子定数の圧力依存性; 京大院理, 豊田理研-京大連携拠点(TRiKUC)^A, JASRI^B; 髙橋秀光, 池田敦俊^A, 北川俊作, 門林宏和^B, 平尾直久^B, 石田憲二, 前野悦輝^A
5: 超伝導ノーダルライン半金属PdドープCaAgPへのトンネル分光; 名大工, 東大物性研^A; 松原直生, 長坂翔太, 矢野力三, 三枝一茂, 岡本佳比古^A, 竹中康司, 柏谷聡
6: 鉄系超伝導体における渦糸芯状態の超伝導探針走査トンネル分光; 理研CEMS, 東工大フロンティア研^A, 東大院工^B; 町田理, 花栗哲郎, 笹川崇男^A, 為ケ井強^B

7: トポロジカル半金属物質TaSb₂のNQRとDFT計算による研究; 兵庫県立大院理^A, マックスプランク固体物理化学研究所^B, IFW ドレスデン^C; 藤井拓斗^{A, B}, O. Janson^C, H. Yasuoka^B, H. Rosner^B, Yu. Prots^B, U. Burkhardt^B, M. Schmidt^B, and M. Baenitz^B
8: GaAsバッファ層上に成長した量子異常ホール絶縁体V_y(Bi_xSb_1-x)_2-yTe₃における保磁力の増大; NTT物性研; 中澤佑介, 秋保貴史, 蟹澤聖, 入江宏, 熊田倫雄, 村木康二
9: トポロジカル絶縁体FeドープBiSbTe₂Seの磁場中輸送特性と表面電子状態; 名大工, 東工大フロンティア研^A; 反田剛, 矢野力三, ^○谷口晴香, 林時温, 中河西翔, 廣瀬陽代^A, 笹川崇男^A, 柏谷聡
10: Bi_1-xSb_xにおけるサイクロトロン共鳴測定; 物材機構, 電通大情理^A, 東大物性研^B; 竹端寛治, 今中康貴, 伏屋雄紀^A, 木下雄斗^B, 山田暉馨^B, 徳永将史^B

1: Ge(001)微傾斜基板上Bi(111)超薄膜の角度分解光電子分光; 佐賀大, SLセ; 小山諒祐, 池田晴人, 今村真幸, 山本勇, 東純平, 高橋和敏
2: Ag(111)上の平坦ハニカム型Biの角度分解光電子分光; 佐賀大, SLセ; 池田晴人, 小山諒祐, 今村真幸, 山本勇, 東純平, 高橋和敏
3: 全反射高速陽電子線回折(TRHEPD)によるSi(111)基板上Bi薄膜の構造解析; 早大先進理工, 高エネ機構物構研^A; 岩澤大希, 阿部浩子, 武田朋也, 望月出海^A, 和田健^A, 兵頭俊夫^A, ^○高山あかり
4: Bi₂Se₃のSe過剰表面における準安定構造の理論計算; 兵県大院理^A, 兵県大理^B; 山本陸人^A, 草部浩一^{A, B}, 北谷基治^B
5: 反強磁性体NdSbのドメインに依存した表面状態：マイクロARPES; 東北大院理^A, 東北大CSIS^B, 東北大WPI-AIMR^C, ケルン大^D, 高エ研物構研^E, 量研機構^F, 東北大多元研^G, 東北大SRIS^H, 東北大MathCCS^I; 本間飛鳥^A, 高根大地^A, 相馬清吾^{B, C}, Yongjiang Wang^D, 中山耕輔^A, 北村未歩^{E, F}, 堀場弘司^F, 組頭広志^G, 高橋隆^A, 安藤陽一^D, 佐藤宇史^{A, B, C, H, I}
6: Bi₂Se₃薄膜表面への水素吸着と層間へのインターカレーション; 東大生研^A, 原子力機構先端研^B; 大橋悠生^A, 小澤孝拓^A, 植田寛和^B, 越田裕之^A, Markas Wilde^A, 福谷克之^{A, B}

7: （招待講演）BLHOのヒドリド超イオン導電性の発現機構; 東京大学物性研究所; 杉野修
^●8: Observation of classical to quantum crossover in the diffusion of Hydrogen and Deuterium in Platinum film; Univ. of Tokyo-IIS^A, JAEA-ASRC^B, Tokyo Inst. Tech.-SMCT^C; S. S. Das^A, T. Ozawa^A, Y. Komatsu^C, R. Shimizu^C, T. Hitosugi^C and K. Fukutani^{A, B}
9: 反射高速電子回折法を用いた表面直下の水素位置解析精度; 東大生研^A, 電機大工^B, 原研先端基礎^C; 川村隆明^{A, B}, 小倉正平^B, 小澤孝拓^A, 深谷有喜^C, 福谷克之^{A, C}
^●10: Effect of surface oxidation on transient plasma driven hydrogen permeation through Ni; 京都大; Arseniy Kuzmin, Keisuke Miura, Shora Kurokawa, Taiichi Shikama, Masahiro Hasuo
11: 雰囲気制御型硬X線光電子分光によるパラジウム合金への水素吸蔵過程のその場観測; 京大理, 量研^A, JASRI^B, 分子研^C; 小板谷貴典, 山本航平^A, 宇留賀朋哉^B, 横山利彦^C
12: 水素イオンビームを用いたKTaO₃に対する高濃度電子ドーピング; 京大院理, 東大生研^A; 平田勧, GyeongCheol Lim, 小澤孝拓^A, Markus Wilde^A, 福谷克之^A, 北川宏, 前里光彦

1: 2次元ナノクラスターネットワーク内で弱く相互作用する分子スピンが生み出す複雑な磁性; 物質材料研究機構MANA; 櫻井亮
2: Ag(111)におけるシリセンの特異な成長様式; 陽交大電物, 物材機構MANA^A, 阪大産研^B, 東大工^C, 京大人環^D; 川上直也, 荒船竜一^A, 南谷英美^B, 川原一晃^C, 高木紀明^D, 林俊良
^●3: プランベン超構造における超電導; NYCU理, NTHU理^A, Academia Sinica^B, 東大物性研^C; Wan-Hsin Chen, Chin-Hsuan Chen^A, Guan-Hao Chen^B, Wei-Chuan Chen^A, Fu-Xiang Rikudo Chen, Pei-Jung Chen, Chun-Kai Ku, Chang-Tsan Lee, Naoya Kawakami, Jia-Ying Li^A, Iwao Matsuda^C, Wen-Hao Chang^B, Juhn-Jong Lin, Chien-Te Wu, Chung-Yu Mou^A, Horng-Tay Jeng^{A, B}, Shu-Jung Tang^{A, B}, ^○Chun-Liang Lin
4: Pt原子層/CePt₂原子層/Pt(111)のSTM像とそのDFTシミュレーション; 東大物性研^A, 東工大理^B, 名大未来研^C, 東大生産研^D, 東工大物質理工^E; 小森文夫^{A, C, D, E}, 家永紘一郎^{A, B}, 宮町俊生^{A, C}, 加藤弘一^D
5: 第一原理計算+古典溶液理論による菱面体硫化ホウ素電極/アルカリ水溶液界面における酸素発生反応の研究; 筑波大計算セ^A, 筑波大数理質工^B, 筑波大Zero-EFM^C, AIMR 東北大^D; 萩原聡^A, 黒田文彬^A, Linghui Li^B, 近藤剛弘^{B, C, D}, 大谷実^{A, C}
6: レーザー切断したMoS₂エッジ面の電子状態と反応：雰囲気光電子分光による研究; 東大物性研, 京大理^A, 東北大SRIS^B; 尾崎文彦, 谷峻太郎, 田中駿介, 崔永賢, 向井孝三, 堀尾眞史, 小板谷貴典^A, 山本達^B, 松田巌, 小林洋平, 吉信淳
^●7: Fabrication of a Micro Graphite Sample by Focused Ion Beam and its Surface Characterization; ISSP, Univ. of Tokyo^A, IIS, Univ. of Tokyo^B, Tokyo Univ. of Sci.^C, IMMS, KEK^D; Yanze Guan^A, Fumio Komori^{A, B}, Masafumi Horio^A, Atsushi Fukuda^B, Masao Kamiko^B, Daisuke Hamane^B, Taizo Kawauchi^B, Katsuyuki Fukutani^B, Yuki Tokumoto^B, Keiichi Edagawa^B, Ryuji Tamura^C, Iwao Matsuda^A, Kenichi Ozawa^D, Yuki Tsujikawa^A

8: Au(111)薄膜表面上に偏析したゲルマネンの構造転移; 名大院工, 福岡大理^A, あいちSR^B, エクス‐マルセイユ大^C; 大野誠貴, 大田晃生^A, 宮﨑誠一, 高倉将一^B, 仲武昌史^B, Marco Minissale^C, Thierry Angot^C, Guy Le Lay^C, 柚原淳司
9: 電子回折と陽電子回折によるホウ素蒸着Al(111)の構造の研究; 早大先進理工, 高エネ機構物構研^A; 庄司誠, 武田朋也, 沼田川拓真, 望月出海^A, 和田健^A, 兵頭俊夫^A, 高山あかり
10: SiC(0001)上の熱分解グラフェン膜へのロジウム原子インターカレーション; 福岡大工; 柳生数馬, 鈴木孝将
11: 14族金属元素PbおよびSn蒸着SiC上グラフェンの表面状態のSTM観察; 早大先進理工; 今吉哲平, 小山修平, 高山あかり
^●12: Structure and electronic properties of the single-atomic-layer (Pb,Bi) compounds on Ge(111); Waseda Univ., SL Center, Saga Univ.^A; L. Konermann, H. Abe, M. Imamura^A, K. Takahashi^A, A. Takayama
13: 第一原理バンド計算に基づいた光電子波動関数の計算手法の開発; 千葉大院理, 千葉大院工^A; 野崎美沙, Peter Krüger^A

1: 量子井戸状態におけるラシュバ効果の理論; 東大情報基盤センター, 東大物性研^A; 河村光晶, 尾崎泰助^A
2: 価電子が閉じ込められた半導体量子井戸構造での電荷分布; 奈良先端大; 武田さくら
^●3: Electronic Structure and Conductivity Modification of Rutile TiO₂(100) by Hydrogen Ion Irradiation; Univ. of Tokyo^A, Kyoto Univ.^B, Japan Atomic Energy Agency^C; Muhammad Irfandi^A, Takahiro Ozawa^A, GyeongCheol Lim^B, Mitsuhiko Maesato^B, Katsuyuki Fukutani^{A, C}
4: 全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法による水素吸着したセリア表面の構造解析; KEK物構研, 東北大金研^A, 鳥取大^B; 望月出海, 花田貴^A, 星健夫^B, 和田健, Rezwan Ahmed, 兵頭俊夫
5: 物質内包空間に存在するfloating電子状態とそのメモリー機能発現の第一原理計算による解明：フラッシュメモリーSiNの場合; 名大工学研^A, 名大未来研^B; 七瀧風五^A, 白石賢二^{A, B}, ^○押山淳^B

6: Zn/Cu(111)モデル触媒表面でのフォーメートの反応キネティクス; 筑波大, 九州大カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所, 三井化学カーボンニュートラル研究センター; 竹内哲大, 津田光葉, 武安光太郎, 近藤剛弘, 中村潤児
7: 窒素ドープカーボン電極触媒反応解析に向けた in-situ CARS装置の開発; 筑波大理工, 九大I²CNER^A; 齋藤詳太, 林田健志, 中村潤児^A, 武安光太郎
8: 窒素ドープカーボン電極触媒反応におけるピリジン型窒素の機能; 筑波大数理, 九大I2CNER^A, 筑波大数物^B; 林田健志, 清水玲, 中村潤児^A, 武安光太郎^B
9: ニューラルネットワークポテンシャルを用いたジルコニウム酸窒化物触媒/水界面の構造解析; 物性研, 山形大^A; 中西章尊, 笠松秀輔^A, 春山潤, 杉野修
10: Pt(111)表面におけるCOの酸化脱離反応ダイナミクスの第一原理計算―汎関数依存性; 東大物性研; 李鴻宇, 片岡佑太, 田中駿介, 春山潤, 杉野修, 吉信淳
11: ESM-RISM法を用いた単原子触媒上における酸素還元反応の研究; 阪大院工; Azim Fitri Zainul Abidin, ^○濱田幾太郎
12: 時間発展モデルを導入したベイズ推定による吸着ダイナミクスの解析; 高輝度セ, 熊大理^A; 横山優一, 河口彰吾, 水牧仁一朗^A

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